IXFT70N30Q3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFT70N30Q3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: TO-268

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IXFT70N30Q3 datasheet

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IXFT70N30Q3

Advance Technical Information HiperFETTM VDSS = 300V IXFT70N30Q3 Power MOSFETs ID25 = 70A IXFH70N30Q3 Q3-Class RDS(on) 54m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268 (IXFT) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V TO-247 (IXFH) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300

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IXFT70N30Q3

Advanced Technical Information IXFH 70N15 VDSS = 150 V HiPerFETTM IXFT 70N15 ID25 = 70 A Power MOSFETs RDS(on) = 28 mW trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 150 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID2

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IXFT70N30Q3

Advanced Technical Information IXFH 75N10Q VDSS = 100 V HiPerFETTM IXFT 75N10Q ID25 = 75 A Power MOSFETs RDS(on) = 20 mW Q-Class t 200ns rr N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 100 V VGS Continuous

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IXFT70N30Q3

www.DataSheet.co.kr Advanced Technical Information IXFH 7N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 7N90Q ID25 = 7 A Power MOSFETs RDS(on) = 1.5 W Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V VGSM

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