IXFT70N30Q3 Todos los transistores

 

IXFT70N30Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFT70N30Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-268
 

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IXFT70N30Q3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  ixys
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IXFT70N30Q3

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 300VIXFT70N30Q3Power MOSFETs ID25 = 70AIXFH70N30Q3 Q3-Class RDS(on) 54m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300

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IXFT70N30Q3

Advanced Technical InformationIXFH 70N15 VDSS = 150 VHiPerFETTMIXFT 70N15 ID25 = 70 APower MOSFETs RDS(on) = 28 mWtrr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 150 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID2

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IXFT70N30Q3

Advanced Technical InformationIXFH 75N10Q VDSS = 100 VHiPerFETTMIXFT 75N10Q ID25 = 75 APower MOSFETs RDS(on) = 20 mWQ-Classt 200nsrr N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous

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ixfh7n90q ixft7n90q.pdf pdf_icon

IXFT70N30Q3

www.DataSheet.co.krAdvanced Technical InformationIXFH 7N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 7N90Q ID25 = 7 APower MOSFETsRDS(on) = 1.5 WQ-ClassN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM

Otros transistores... IXFX150N30P3 , IXFX12N90Q , IXFX120N65X2 , IXFX120N30P3 , IXFX100N65X2 , IXFT9N80Q , IXFT94N30T , IXFT94N30P3 , AO3401 , IXFT50N60X , IXFT50N20 , IXFT46N30T , IXFT44N50Q3 , IXFT40N50Q , IXFT30N60X , IXFT30N60Q , IXFT30N50Q .

History: NCE70T680 | 6N60KL-TA3-T | 2SK2074 | 36N06 | BRCS250N10SDP | AUIRFR2307ZTR | SPW20N60C3

 

 
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