IXFT70N30Q3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT70N30Q3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm

Тип корпуса: TO-268

Аналог (замена) для IXFT70N30Q3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT70N30Q3 даташит

 ..1. Size:131K  ixys
 ixfh70n30q3 ixft70n30q3.pdf pdf_icon

IXFT70N30Q3

Advance Technical Information HiperFETTM VDSS = 300V IXFT70N30Q3 Power MOSFETs ID25 = 70A IXFH70N30Q3 Q3-Class RDS(on) 54m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268 (IXFT) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V TO-247 (IXFH) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300

 7.1. Size:52K  ixys
 ixfh70n15 ixft70n15.pdf pdf_icon

IXFT70N30Q3

Advanced Technical Information IXFH 70N15 VDSS = 150 V HiPerFETTM IXFT 70N15 ID25 = 70 A Power MOSFETs RDS(on) = 28 mW trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 150 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID2

 9.1. Size:151K  ixys
 ixfh75n10q ixft75n10q.pdf pdf_icon

IXFT70N30Q3

Advanced Technical Information IXFH 75N10Q VDSS = 100 V HiPerFETTM IXFT 75N10Q ID25 = 75 A Power MOSFETs RDS(on) = 20 mW Q-Class t 200ns rr N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 100 V VGS Continuous

 9.2. Size:112K  ixys
 ixfh7n90q ixft7n90q.pdf pdf_icon

IXFT70N30Q3

www.DataSheet.co.kr Advanced Technical Information IXFH 7N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 7N90Q ID25 = 7 A Power MOSFETs RDS(on) = 1.5 W Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V VGSM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFX150N30P3, IXFX12N90Q, IXFX120N65X2, IXFX120N30P3, IXFX100N65X2, IXFT9N80Q, IXFT94N30T, IXFT94N30P3, P60NF06, IXFT50N60X, IXFT50N20, IXFT46N30T, IXFT44N50Q3, IXFT40N50Q, IXFT30N60X, IXFT30N60Q, IXFT30N50Q