Справочник MOSFET. IXFT70N30Q3

 

IXFT70N30Q3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFT70N30Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TO-268
 

 Аналог (замена) для IXFT70N30Q3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT70N30Q3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  ixys
ixfh70n30q3 ixft70n30q3.pdfpdf_icon

IXFT70N30Q3

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 300VIXFT70N30Q3Power MOSFETs ID25 = 70AIXFH70N30Q3 Q3-Class RDS(on) 54m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300

 7.1. Size:52K  ixys
ixfh70n15 ixft70n15.pdfpdf_icon

IXFT70N30Q3

Advanced Technical InformationIXFH 70N15 VDSS = 150 VHiPerFETTMIXFT 70N15 ID25 = 70 APower MOSFETs RDS(on) = 28 mWtrr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 150 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID2

 9.1. Size:151K  ixys
ixfh75n10q ixft75n10q.pdfpdf_icon

IXFT70N30Q3

Advanced Technical InformationIXFH 75N10Q VDSS = 100 VHiPerFETTMIXFT 75N10Q ID25 = 75 APower MOSFETs RDS(on) = 20 mWQ-Classt 200nsrr N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous

 9.2. Size:112K  ixys
ixfh7n90q ixft7n90q.pdfpdf_icon

IXFT70N30Q3

www.DataSheet.co.krAdvanced Technical InformationIXFH 7N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 7N90Q ID25 = 7 APower MOSFETsRDS(on) = 1.5 WQ-ClassN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM

Другие MOSFET... IXFX150N30P3 , IXFX12N90Q , IXFX120N65X2 , IXFX120N30P3 , IXFX100N65X2 , IXFT9N80Q , IXFT94N30T , IXFT94N30P3 , AO3401 , IXFT50N60X , IXFT50N20 , IXFT46N30T , IXFT44N50Q3 , IXFT40N50Q , IXFT30N60X , IXFT30N60Q , IXFT30N50Q .

History: WMP08N70C4 | 10N60G-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.