IXFR44N50Q3 Todos los transistores

 

IXFR44N50Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFR44N50Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.154 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-247
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFR44N50Q3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFR44N50Q3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  ixys
 ixfr44n50q3.pdf pdf_icon

IXFR44N50Q3

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 500VIXFR44N50Q3Pwer MOSFET ID25 = 25AQ3-CIass RDS(n) 154m trr 250ns(EIectricaIIy IsIated Tab)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432SymbI Test Cnditins Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40

 5.1. Size:153K  ixys
 ixfr44n50p.pdf pdf_icon

IXFR44N50Q3

IXFR 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 24 APower MOSFET RDS(on) 150 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel EnhancementAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS247 (IXFR)E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25

 7.1. Size:34K  ixys
 ixfr44n60.pdf pdf_icon

IXFR44N50Q3

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 44N60 VDSS = 600 VISOPLUS247TMID25 = 38 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on)= 130 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C38 AG = Gate D = Drain

 7.2. Size:101K  ixys
 ixfr44n80p.pdf pdf_icon

IXFR44N50Q3

IXFR 44N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 25 APower MOSFET RDS(on) 200 m Electrically Isolated Tabtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 8

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXFT23N80Q , IXFT23N60Q , IXFT18N100Q3 , IXFT17N80Q , IXFT150N20T , IXFT12N100QHV , IXFT120N25T , IXFR80N10Q , HY1906P , IXFR27N80Q , IXFR24N100Q3 , IXFR12N100F , IXFR10N100F , IXFQ94N30P3 , IXFQ60N60X , IXFQ50N60X , IXFQ34N50P3 .

History: AOT2146L | YJL2312AL

 

 
Back to Top

 


 
.