IXFR44N50Q3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFR44N50Q3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 93 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.154 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS-247

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IXFR44N50Q3 datasheet

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IXFR44N50Q3

Advance Technical Information HiperFETTM VDSS = 500V IXFR44N50Q3 P wer MOSFET ID25 = 25A Q3-CIass RDS( n) 154m trr 250ns (EIectricaIIy Is Iated Tab) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier ISOPLUS247 E153432 Symb I Test C nditi ns Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40

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IXFR44N50Q3

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IXFR44N50Q3

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 44N60 VDSS = 600 V ISOPLUS247TM ID25 = 38 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on)= 130 mW Single MOSFET Die trr 250 ns ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C38 A G = Gate D = Drain

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IXFR44N50Q3

IXFR 44N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 25 A Power MOSFET RDS(on) 200 m Electrically Isolated Tab trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 8

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