IRFP330 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP330  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IRFP330 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFP330 datasheet

 0.1. Size:296K  international rectifier
 irfp3306pbf.pdf pdf_icon

IRFP330

PD - 97128 IRFP3306PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 4.2m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 160A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt R

 0.2. Size:329K  samsung
 irfp330-333 irf730-733.pdf pdf_icon

IRFP330

 0.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irfp3306.pdf pdf_icon

IRFP330

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306 IIRFP3306 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.2m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switc

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP251, IRFP252, IRFP253, IRFP254, IRFP254A, IRFP255, IRFP260, IRFP264, AON6414A, IRFP331, IRFP332, IRFP333, IRFP340, IRFP340A, IRFP341, IRFP342, IRFP343