IXFQ60N60X Todos los transistores

 

IXFQ60N60X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFQ60N60X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFQ60N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf pdf_icon

IXFQ60N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFQ60N60XPower MOSFET ID25 = 60AIXFH60N60X RDS(on) 55m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXFQ)Fast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

 7.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFQ60N60X

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA60N25X3Power MOSFET ID25 = 60AIXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 250 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Co

Otros transistores... IXFT120N25T , IXFR80N10Q , IXFR44N50Q3 , IXFR27N80Q , IXFR24N100Q3 , IXFR12N100F , IXFR10N100F , IXFQ94N30P3 , IRFZ44N , IXFQ50N60X , IXFQ34N50P3 , IXFQ30N60X , IXFQ26N50P3 , IXFQ24N60X , IXFQ20N50P3 , IXFP8N50P3 , IXFP7N60P3 .

History: IRFP4668PBF | IRF531FI | CM2N65C

 

 
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