IXFQ60N60X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFQ60N60X

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO-3P

 Búsqueda de reemplazo de IXFQ60N60X MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXFQ60N60X datasheet

 ..1. Size:166K  ixys
 ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf pdf_icon

IXFQ60N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFQ60N60X Power MOSFET ID25 = 60A IXFH60N60X RDS(on) 55m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-3P (IXFQ) Fast Intrinsic Diode G D S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-247 (IXFH) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1

 7.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFQ60N60X

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA60N25X3 Power MOSFET ID25 = 60A IXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 250 V VGSS Co

Otros transistores... IXFT120N25T, IXFR80N10Q, IXFR44N50Q3, IXFR27N80Q, IXFR24N100Q3, IXFR12N100F, IXFR10N100F, IXFQ94N30P3, IRFZ44N, IXFQ50N60X, IXFQ34N50P3, IXFQ30N60X, IXFQ26N50P3, IXFQ24N60X, IXFQ20N50P3, IXFP8N50P3, IXFP7N60P3