Справочник MOSFET. IXFQ60N60X

 

IXFQ60N60X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFQ60N60X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 143 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для IXFQ60N60X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ60N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf pdf_icon

IXFQ60N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFQ60N60XPower MOSFET ID25 = 60AIXFH60N60X RDS(on) 55m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXFQ)Fast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

 7.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFQ60N60X

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA60N25X3Power MOSFET ID25 = 60AIXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 250 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Co

Другие MOSFET... IXFT120N25T , IXFR80N10Q , IXFR44N50Q3 , IXFR27N80Q , IXFR24N100Q3 , IXFR12N100F , IXFR10N100F , IXFQ94N30P3 , IRFZ44N , IXFQ50N60X , IXFQ34N50P3 , IXFQ30N60X , IXFQ26N50P3 , IXFQ24N60X , IXFQ20N50P3 , IXFP8N50P3 , IXFP7N60P3 .

History: 13N50L-TQ2-R | AOP605 | UT120N03 | GSM3413 | STS5N15F3 | 4N70L-TA3-T | SMC3054

 

 
Back to Top

 


 
.