Справочник MOSFET. IXFQ60N60X

 

IXFQ60N60X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFQ60N60X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 143 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для IXFQ60N60X

 

 

IXFQ60N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf

IXFQ60N60X IXFQ60N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFQ60N60XPower MOSFET ID25 = 60AIXFH60N60X RDS(on) 55m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXFQ)Fast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

 7.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf

IXFQ60N60X IXFQ60N60X

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA60N25X3Power MOSFET ID25 = 60AIXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 250 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Co

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top