IXFQ50N60X Todos los transistores

 

IXFQ50N60X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFQ50N60X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 660 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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IXFQ50N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixfh50n60x ixfq50n60x ixft50n60x.pdf pdf_icon

IXFQ50N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFT50N60XPower MOSFET ID25 = 50AIXFQ50N60X RDS(on) 73m IXFH50N60XN-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VDVDGR TJ = 25C to 1

 7.1. Size:139K  ixys
 ixft50n50p3 ixfq50n50p3 ixfh50n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ50N60X

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFT50N50P3ID25 = 50APower MOSFETIXFQ50N50P3 RDS(on) 125m IXFH50N50P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VD

Otros transistores... IXFR80N10Q , IXFR44N50Q3 , IXFR27N80Q , IXFR24N100Q3 , IXFR12N100F , IXFR10N100F , IXFQ94N30P3 , IXFQ60N60X , IRF3205 , IXFQ34N50P3 , IXFQ30N60X , IXFQ26N50P3 , IXFQ24N60X , IXFQ20N50P3 , IXFP8N50P3 , IXFP7N60P3 , IXFP5N50P3 .

History: NTMFS4C250N | BRB70R1K2 | HAT3008RJ | CJD04N60B | IRF6619 | 2SK2025 | STP4N52K3

 

 
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