Справочник MOSFET. IXFQ50N60X

 

IXFQ50N60X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFQ50N60X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 116 nC
   trⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для IXFQ50N60X

 

 

IXFQ50N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixfh50n60x ixfq50n60x ixft50n60x.pdf

IXFQ50N60X IXFQ50N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFT50N60XPower MOSFET ID25 = 50AIXFQ50N60X RDS(on) 73m IXFH50N60XN-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VDVDGR TJ = 25C to 1

 7.1. Size:139K  ixys
 ixft50n50p3 ixfq50n50p3 ixfh50n50p3.pdf

IXFQ50N60X IXFQ50N60X

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFT50N50P3ID25 = 50APower MOSFETIXFQ50N50P3 RDS(on) 125m IXFH50N50P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFN73N30Q

 

 
Back to Top