Справочник MOSFET. IXFQ50N60X

 

IXFQ50N60X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFQ50N60X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 116 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для IXFQ50N60X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ50N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixfh50n60x ixfq50n60x ixft50n60x.pdf pdf_icon

IXFQ50N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFT50N60XPower MOSFET ID25 = 50AIXFQ50N60X RDS(on) 73m IXFH50N60XN-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VDVDGR TJ = 25C to 1

 7.1. Size:139K  ixys
 ixft50n50p3 ixfq50n50p3 ixfh50n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ50N60X

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFT50N50P3ID25 = 50APower MOSFETIXFQ50N50P3 RDS(on) 125m IXFH50N50P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VD

Другие MOSFET... IXFR80N10Q , IXFR44N50Q3 , IXFR27N80Q , IXFR24N100Q3 , IXFR12N100F , IXFR10N100F , IXFQ94N30P3 , IXFQ60N60X , IRF3205 , IXFQ34N50P3 , IXFQ30N60X , IXFQ26N50P3 , IXFQ24N60X , IXFQ20N50P3 , IXFP8N50P3 , IXFP7N60P3 , IXFP5N50P3 .

History: 13N50L-T2Q-T | AOT780A70L

 

 
Back to Top

 


 
.