IXFQ50N60X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFQ50N60X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для IXFQ50N60X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ50N60X даташит

 ..1. Size:184K  ixys
 ixfh50n60x ixfq50n60x ixft50n60x.pdf pdf_icon

IXFQ50N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT50N60X Power MOSFET ID25 = 50A IXFQ50N60X RDS(on) 73m IXFH50N60X N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V D VDGR TJ = 25 C to 1

 7.1. Size:139K  ixys
 ixft50n50p3 ixfq50n50p3 ixfh50n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ50N60X

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFT50N50P3 ID25 = 50A Power MOSFET IXFQ50N50P3 RDS(on) 125m IXFH50N50P3 N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V D

Другие IGBT... IXFR80N10Q, IXFR44N50Q3, IXFR27N80Q, IXFR24N100Q3, IXFR12N100F, IXFR10N100F, IXFQ94N30P3, IXFQ60N60X, IRF3205, IXFQ34N50P3, IXFQ30N60X, IXFQ26N50P3, IXFQ24N60X, IXFQ20N50P3, IXFP8N50P3, IXFP7N60P3, IXFP5N50P3