IXFP8N50P3 Todos los transistores

 

IXFP8N50P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP8N50P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 180 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220AB

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IXFP8N50P3 Datasheet (PDF)

1.1. ixfa8n50p3 ixfp8n50p3.pdf Size:160K _ixys

IXFP8N50P3
IXFP8N50P3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFA8N50P3 Power MOSFETs ID25 = 8A IXFP8N50P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 800mΩ ≤ Ω ≤ Ω N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ

1.2. ixfp8n50pm.pdf Size:106K _ixys

IXFP8N50P3
IXFP8N50P3

Preliminary Technical Information IXFP 8N50PM VDSS = 500 V PolarHVTMHiPerFET ID25 = 4.4 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 0.8 ? ? ? ? ? ? ? (Electrically Isolated Tab) ? trr ? 200 ns ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode OVERMOLDED TO-220 Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXTP...M) OUTLINE VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 1

 

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