Справочник MOSFET. IXFP8N50P3

 

IXFP8N50P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFP8N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IXFP8N50P3

 

 

IXFP8N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  ixys
 ixfa8n50p3 ixfp8n50p3.pdf

IXFP8N50P3 IXFP8N50P3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA8N50P3Power MOSFETs ID25 = 8AIXFP8N50P3 RDS(on) 800m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 5.1. Size:106K  ixys
 ixfp8n50pm.pdf

IXFP8N50P3 IXFP8N50P3

Preliminary Technical InformationIXFP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMHiPerFETID25 = 4.4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeOVERMOLDED TO-220Symbol Test Conditions Maximum Ratings(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to

 8.1. Size:368K  ixys
 ixfa8n85xhv ixfp8n85x ixfq8n85x.pdf

IXFP8N50P3 IXFP8N50P3

PreliminaryTechnical InformationX-Class HiPERFET VDSS = 850VIXFA8N85XHVPower MOSFET ID25 = 8AIXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXFA)GSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuous

 9.1. Size:245K  ixys
 ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdf

IXFP8N50P3 IXFP8N50P3

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA80N25X3Power MOSFET ID25 = 80AIXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3TO-263 AA (IXFA)IXFH80N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSFast Intrinsic DiodeD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab)VTO-3P (IXFQ)VDGR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top