IXFP5N50P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFP5N50P3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 114 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V
Tiempo de elevación (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.65 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFP5N50P3
IXFP5N50P3 Datasheet (PDF)
1.1. ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf 
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Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 1.65Ω ≤ Ω ≤ Ω IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25°C to 150°C, R
4.1. ixfp5n100pm.pdf Size:115K _ixys
Advance Technical Information VDSS = 1000V PolarTM HiPerFETTM IXFP5N100PM ID25 = 2.3A Power MOSFET ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 2.8Ω ≤ Ω ≤ Ω (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode OVERMOLDED Avalanche Rated (IXFP...M) OUTLINE Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 1000 V G VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 1000 V Isolated Tab
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
