IRFP331 Todos los transistores

 

IRFP331 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP331
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP331

 

Principales características: IRFP331

 8.1. Size:296K  international rectifier
 irfp3306pbf.pdf pdf_icon

IRFP331

PD - 97128 IRFP3306PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 4.2m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 160A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt R

 8.2. Size:329K  samsung
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IRFP331

 8.3. Size:242K  inchange semiconductor
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IRFP331

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306 IIRFP3306 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.2m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switc

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History: JMSH1516AG

 

 
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