IRFP331 - описание и поиск аналогов

 

IRFP331. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFP331

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFP331

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP331 даташит

 8.1. Size:296K  international rectifier
 irfp3306pbf.pdf pdf_icon

IRFP331

PD - 97128 IRFP3306PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 4.2m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 160A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt R

 8.2. Size:329K  samsung
 irfp330-333 irf730-733.pdf pdf_icon

IRFP331

 8.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irfp3306.pdf pdf_icon

IRFP331

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306 IIRFP3306 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.2m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP252 , IRFP253 , IRFP254 , IRFP254A , IRFP255 , IRFP260 , IRFP264 , IRFP330 , IRFB4115 , IRFP332 , IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.