IXFP5N100PM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFP5N100PM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6 VQgⓘ - Carga de la puerta: 33.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFP5N100PM
IXFP5N100PM Datasheet (PDF)
ixfp5n100pm.pdf
Advance Technical InformationVDSS = 1000VPolarTM HiPerFETTMIXFP5N100PMID25 = 2.3APower MOSFET RDS(on) 2.8 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeOVERMOLDEDAvalanche Rated(IXFP...M) OUTLINESymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VIsolated Tab
ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf
Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFY5N50P3Power MOSFETs ID25 = 5AIXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, R
ixfa56n30x3 ixfp56n30x3 ixfh56n30x3.pdf
Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA56N30X3Power MOSFET ID25 = 56AIXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXFA)Avalanche RatedGSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918