IXFP5N100PM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP5N100PM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO-220

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IXFP5N100PM datasheet

 ..1. Size:115K  ixys
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IXFP5N100PM

Advance Technical Information VDSS = 1000V PolarTM HiPerFETTM IXFP5N100PM ID25 = 2.3A Power MOSFET RDS(on) 2.8 (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode OVERMOLDED Avalanche Rated (IXFP...M) OUTLINE Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V Isolated Tab

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IXFP5N100PM

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, R

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 ixfa56n30x3 ixfp56n30x3 ixfh56n30x3.pdf pdf_icon

IXFP5N100PM

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 300V IXFA56N30X3 Power MOSFET ID25 = 56A IXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXFA) Avalanche Rated G S D (Tab) TO-220 (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300

Otros transistores... IXFQ34N50P3, IXFQ30N60X, IXFQ26N50P3, IXFQ24N60X, IXFQ20N50P3, IXFP8N50P3, IXFP7N60P3, IXFP5N50P3, IRF640, IXFP4N60P3, IXFP36N30P3, IXFP30N60X, IXFP26N50P3, IXFP24N60X, IXFP22N65X2, IXFP20N50P3M, IXFP20N50P3