IXFP20N50P3M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFP20N50P3M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de IXFP20N50P3M MOSFET
IXFP20N50P3M PDF Specs
ixfp20n50p3m.pdf
Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFP20N50P3M Power MOSFET ID25 = 8A RDS(on) 300m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier OVERMOLDED Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V G D S VGSM Tran... See More ⇒
ixfa20n50p3 ixfh20n50p3 ixfp20n50p3 ixfq20n50p3.pdf
Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFA20N50P3 ID25 = 20A Power MOSFETs IXFP20N50P3 RDS(on) 300m IXFQ20N50P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3 Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ... See More ⇒
ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf
X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFP20N85X Power MOSFET ID25 = 20A IXFH20N85X RDS(on) 330m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXFP) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V TO-247 (IXFH) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient 4... See More ⇒
ixfa20n85xhv ixfh20n85x ixfa20n85xhv ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf
X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFA20N85XHV Power MOSFET ID25 = 20A IXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85X N-Channel Enhancement Mode TO-263HV Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Continuo... See More ⇒
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Liste
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