IXFP20N50P3M - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IXFP20N50P3M. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFP20N50P3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для IXFP20N50P3M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP20N50P3M даташит

 ..1. Size:120K  ixys
 ixfp20n50p3m.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3M

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFP20N50P3M Power MOSFET ID25 = 8A RDS(on) 300m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier OVERMOLDED Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V G D S VGSM Tran

 3.1. Size:157K  ixys
 ixfa20n50p3 ixfh20n50p3 ixfp20n50p3 ixfq20n50p3.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3M

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFA20N50P3 ID25 = 20A Power MOSFETs IXFP20N50P3 RDS(on) 300m IXFQ20N50P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3 Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

 7.1. Size:226K  ixys
 ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3M

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFP20N85X Power MOSFET ID25 = 20A IXFH20N85X RDS(on) 330m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXFP) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V TO-247 (IXFH) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient 4

 7.2. Size:288K  ixys
 ixfa20n85xhv ixfh20n85x ixfa20n85xhv ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3M

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFA20N85XHV Power MOSFET ID25 = 20A IXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85X N-Channel Enhancement Mode TO-263HV Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Continuo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFP5N50P3 , IXFP5N100PM , IXFP4N60P3 , IXFP36N30P3 , IXFP30N60X , IXFP26N50P3 , IXFP24N60X , IXFP22N65X2 , IRFB4227 , IXFP20N50P3 , IXFP18N60X , IXFP16N60P3 , IXFP16N50P3 , IXFP14N60P3 , IXFN94N50P2 , IXFN55N50F , IXFN40N110Q3 .

 

 
Back to Top

 


 
.