IXFP20N50P3 Todos los transistores

 

IXFP20N50P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFP20N50P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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IXFP20N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  ixys
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IXFP20N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFA20N50P3ID25 = 20APower MOSFETsIXFP20N50P3 RDS(on) 300m IXFQ20N50P3N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3Avalanche RatedTO-220AB (IXFP)Fast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GGDD (Tab)SSTO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ

 0.1. Size:120K  ixys
 ixfp20n50p3m.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFP20N50P3MPower MOSFET ID25 = 8A RDS(on) 300m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 30 V GDSVGSM Tran

 7.1. Size:226K  ixys
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IXFP20N50P3

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFP20N85XPower MOSFET ID25 = 20AIXFH20N85X RDS(on) 330m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXFP)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-247 (IXFH)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 4

 7.2. Size:288K  ixys
 ixfa20n85xhv ixfh20n85x ixfa20n85xhv ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFA20N85XHVPower MOSFET ID25 = 20AIXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HVAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuo

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History: BS170D26Z

 

 
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