IXFP20N50P3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFP20N50P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFP20N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IXFP20N50P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP20N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  ixys
 ixfa20n50p3 ixfh20n50p3 ixfp20n50p3 ixfq20n50p3.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFA20N50P3ID25 = 20APower MOSFETsIXFP20N50P3 RDS(on) 300m IXFQ20N50P3N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3Avalanche RatedTO-220AB (IXFP)Fast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GGDD (Tab)SSTO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ

 0.1. Size:120K  ixys
 ixfp20n50p3m.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFP20N50P3MPower MOSFET ID25 = 8A RDS(on) 300m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 30 V GDSVGSM Tran

 7.1. Size:226K  ixys
 ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFP20N85XPower MOSFET ID25 = 20AIXFH20N85X RDS(on) 330m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXFP)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-247 (IXFH)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 4

 7.2. Size:288K  ixys
 ixfa20n85xhv ixfh20n85x ixfa20n85xhv ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFP20N50P3

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFA20N85XHVPower MOSFET ID25 = 20AIXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HVAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFP5N100PM , IXFP4N60P3 , IXFP36N30P3 , IXFP30N60X , IXFP26N50P3 , IXFP24N60X , IXFP22N65X2 , IXFP20N50P3M , P55NF06 , IXFP18N60X , IXFP16N60P3 , IXFP16N50P3 , IXFP14N60P3 , IXFN94N50P2 , IXFN55N50F , IXFN40N110Q3 , IXFN260N17T .

History: FDMA8051L | FDMC86520DC | WFF8N65L

 

 
Back to Top

 


 
.