IRFP333 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP333

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 350 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP333

IRFP333 Datasheet (PDF)

4.1. irfp3306pbf.pdf Size:296K _upd-mosfet

PD - 97128 IRFP3306PbF HEXFET® Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m : l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 4.2m : l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 160A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt R

4.2. irfp330-333 irf730-733.pdf Size:329K _samsung

4.3. irfp3306.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306，IIRFP3306 ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤4.2mΩ ·Enhancement mode: ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ·Uninterruptible Power Supply ·High Speed Power Switching ·Hard Switc

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Liste

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