IRFP333 Todos los transistores

 

IRFP333 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP333

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 350 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 18 nC

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 99 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP333

 

IRFP333 Datasheet (PDF)

8.1. irfp3306pbf.pdf Size:296K _international_rectifier

IRFP333
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PD - 97128IRFP3306PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.3.3m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingmax. 4.2m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)160A cID (Package Limited)120A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtR

8.2. irfp330-333 irf730-733.pdf Size:329K _samsung

IRFP333
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 8.3. irfp3306.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

IRFP333
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isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306IIRFP3306FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.2mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switc

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