IRFP333 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFP333
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 350 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 99 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
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IRFP333 Datasheet (PDF)
irfp3306pbf.pdf
PD - 97128IRFP3306PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.3.3m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingmax. 4.2m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)160A cID (Package Limited)120A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtR
irfp3306pbf.pdf
PD - 97128IRFP3306PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.3.3m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingmax. 4.2m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)160A cID (Package Limited)120A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtR
irfp3306.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306IIRFP3306FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.2mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switc
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