IRFP333 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFP333
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для IRFP333
IRFP333 Datasheet (PDF)
irfp3306pbf.pdf
PD - 97128IRFP3306PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.3.3m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingmax. 4.2m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)160A cID (Package Limited)120A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtR
irfp3306.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306IIRFP3306FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.2mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switc
Другие MOSFET... IRFP254 , IRFP254A , IRFP255 , IRFP260 , IRFP264 , IRFP330 , IRFP331 , IRFP332 , 2SK3878 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A .
History: FDC5614P | FDC3601N | CS150
History: FDC5614P | FDC3601N | CS150
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P20AP | AGM30P18S | AGM30P18E | AGM30P16S | AGM30P16D | AGM30P16AP | AGM30P14MBP | AGM30P12M | AGM30P12D | AGM30P110D | AGM30P110A | AGM30P10SR | AGM30P10S | AGM30P10K | AGM30P10AP | AGM25N15C
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055



