IRFP333. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFP333

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFP333

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP333 даташит

 8.1. Size:296K  international rectifier
 irfp3306pbf.pdf pdf_icon

IRFP333

PD - 97128 IRFP3306PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 4.2m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 160A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt R

 8.2. Size:329K  samsung
 irfp330-333 irf730-733.pdf pdf_icon

IRFP333

 8.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irfp3306.pdf pdf_icon

IRFP333

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306 IIRFP3306 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.2m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFP254, IRFP254A, IRFP255, IRFP260, IRFP264, IRFP330, IRFP331, IRFP332, P55NF06, IRFP340, IRFP340A, IRFP341, IRFP342, IRFP343, IRFP344, IRFP350, IRFP350A