IXFK120N30P3 Todos los transistores

 

IXFK120N30P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFK120N30P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1406 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-264
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFK120N30P3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFK120N30P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  ixys
 ixfk120n30p3 ixfx120n30p3.pdf pdf_icon

IXFK120N30P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK120N30P3Power MOSFETs ID25 = 120AIXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150

 4.1. Size:139K  ixys
 ixfk120n30t ixfx120n30t.pdf pdf_icon

IXFK120N30P3

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 300VIXFK120N30TID25 = 120APower MOSFETIXFX120N30T RDS(on) 24m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 6.1. Size:395K  ixys
 ixfk110n20 ixfk120n20 ixfn110n20 ixfn120n20.pdf pdf_icon

IXFK120N30P3

This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page

 6.2. Size:159K  ixys
 ixfk120n65x2 ixfx120n65x2.pdf pdf_icon

IXFK120N30P3

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXFK90N60X , IXFK32N90P , IXFK30N50Q , IXFK260N17T , IXFK24N100Q3 , IXFK210N17T , IXFK150N30P3 , IXFK120N65X2 , AON7410 , IXFK100N65X2 , IXFJ26N50P3 , IXFI7N80P , IXFH94N30T , IXFH94N30P3 , IXFH80N65X2 , IXFH7N100P , IXFH76N15T2 .

History: IXFK250N10P

 

 
Back to Top

 


 
.