IXFH7N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFH7N100P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH7N100P
IXFH7N100P Datasheet (PDF)
ixfh7n100p.pdf
Polar TM HiPerFETTM VDSS = 1000VIXFA7N100PPower MOSFETs ID25 = 7AIXFP7N100P RDS(on) 1.9 IXFH7N100PN-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Conti
ixfh7n80 ixfm7n80.pdf
HiPerFETTM IXFH 7 N80 VDSS = 800 VPower MOSFETs IXFM 7 N80 ID (cont) = 7 ARDS(on) = 1.4 WN-Channel Enhancement Modetrr = 250 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C7 ATO-204 AA (IXFM
ixfh7n90q ixft7n90q.pdf
www.DataSheet.co.krAdvanced Technical InformationIXFH 7N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 7N90Q ID25 = 7 APower MOSFETsRDS(on) = 1.5 WQ-ClassN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM
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