IXFH22N65X2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH22N65X2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO-247

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IXFH22N65X2 datasheet

 ..1. Size:336K  ixys
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IXFH22N65X2

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM T

 ..2. Size:168K  ixys
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IXFH22N65X2

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to

 6.1. Size:295K  ixys
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IXFH22N65X2

IXFH 22N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N60P ID25 = 22 A Power MOSFETs IXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60

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ixfh22n50p ixfv22n50p.pdf pdf_icon

IXFH22N65X2

IXFH 22N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N50P ID25 = 22 A Power MOSFET IXFV 22N50PS RDS(on) 270 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

Otros transistores... IXFH46N30T, IXFH44N50Q3, IXFH34N65X2, IXFH34N50P3, IXFH30N60X, IXFH30N50Q, IXFH26N50P3, IXFH24N60X, IRF1407, IXFH20N50P3, IXFH18N60X, IXFH18N100Q3, IXFH16N60P3, IXFH16N50P3, IXFH150N20T, IXFH14N60P3, IXFH120N25T