IXFH22N65X2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFH22N65X2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFH22N65X2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH22N65X2 даташит

 ..1. Size:336K  ixys
 ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf pdf_icon

IXFH22N65X2

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM T

 ..2. Size:168K  ixys
 ixfa22n65x2 ixfh22n65x2 ixfp22n65x2.pdf pdf_icon

IXFH22N65X2

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to

 6.1. Size:295K  ixys
 ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf pdf_icon

IXFH22N65X2

IXFH 22N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N60P ID25 = 22 A Power MOSFETs IXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60

 7.1. Size:312K  ixys
 ixfh22n50p ixfv22n50p.pdf pdf_icon

IXFH22N65X2

IXFH 22N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N50P ID25 = 22 A Power MOSFET IXFV 22N50PS RDS(on) 270 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFH46N30T, IXFH44N50Q3, IXFH34N65X2, IXFH34N50P3, IXFH30N60X, IXFH30N50Q, IXFH26N50P3, IXFH24N60X, IRF1407, IXFH20N50P3, IXFH18N60X, IXFH18N100Q3, IXFH16N60P3, IXFH16N50P3, IXFH150N20T, IXFH14N60P3, IXFH120N25T