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IXFH18N60X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH18N60X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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IXFH18N60X datasheet

 ..1. Size:183K  ixys
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IXFH18N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA18N60X Power MOSFET ID25 = 18A IXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60X TO-263 AA (IXFA) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to

 5.1. Size:172K  ixys
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IXFH18N60X

IXFH 18N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 18N60P ID25 = 18 A Power MOSFET IXFV 18N60PS RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGS Co

 6.1. Size:336K  ixys
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IXFH18N60X

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA18N65X2 Power MOSFET ID25 = 18A IXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGS

 7.1. Size:130K  ixys
 ixfh18n100q3 ixft18n100q3.pdf pdf_icon

IXFH18N60X

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