Справочник MOSFET. IXFH18N60X

 

IXFH18N60X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFH18N60X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 30 ns
   Выходная емкость (Cd): 1110 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для IXFH18N60X

 

 

IXFH18N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  ixys
ixfa18n60x ixfh18n60x ixfp18n60x.pdf

IXFH18N60X IXFH18N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA18N60XPower MOSFET ID25 = 18AIXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60XTO-263 AA (IXFA)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to

 5.1. Size:172K  ixys
ixfh18n60p ixfv18n60p.pdf

IXFH18N60X IXFH18N60X

IXFH 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXFV 18N60PS RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Co

 6.1. Size:336K  ixys
ixfa18n65x2 ixfp18n65x2 ixfh18n65x2.pdf

IXFH18N60X IXFH18N60X

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA18N65X2Power MOSFET ID25 = 18AIXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 650 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGS

 7.1. Size:130K  ixys
ixfh18n100q3 ixft18n100q3.pdf

IXFH18N60X IXFH18N60X

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VIXFT18N100Q3Power MOSFETs ID25 = 18AIXFH18N100Q3 Q3-Class RDS(on) 660m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top