IXFB150N65X2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB150N65X2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1560 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: PLUS264

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IXFB150N65X2 datasheet

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IXFB150N65X2

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous 30

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IXFB150N65X2

IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuous 30

Otros transistores... IXFH14N60P3, IXFH120N25T, IXFH10N100Q, IXFD80N10, IXFC80N10, IXFC80N08, IXFB40N110Q3, IXFB210N30P3, P60NF06, IXFA8N50P3, IXFA7N60P3, IXFA5N50P3, IXFA4N60P3, IXFA36N30P3, IXFA30N60X, IXFA26N50P3, IXFA24N60X