IXFB150N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB150N65X2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1560 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 150 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.5 V

Carga de compuerta (Qg): 430 nC

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 13300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.017 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB150N65X2

IXFB150N65X2 Datasheet (PDF)

1.1. ixfb150n65x2.pdf Size:109K _ixys

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A   RDS(on)  17m       N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 650 V G D VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous  30

5.1. ixfb100n50p.pdf Size:173K _ixys

IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 49 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? trr ? 200 ns ? ? ? Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25� C to 150� C 500 V VDGR TJ = 25� C to 150� C; RGS = 1 M? 500 V VGSS Continuous �30 V (TAB) G VGSM Transient �40 V D S

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: