IXFB150N65X2 - описание и поиск аналогов

 

IXFB150N65X2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB150N65X2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1560 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13300 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB150N65X2

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB150N65X2 даташит

 ..1. Size:109K  ixys
 ixfb150n65x2.pdf pdf_icon

IXFB150N65X2

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous 30

 9.1. Size:173K  ixys
 ixfb100n50p.pdf pdf_icon

IXFB150N65X2

IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuous 30

Другие MOSFET... IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , P60NF06 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X , IXFA26N50P3 , IXFA24N60X .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.