IXFA7N60P3 Todos los transistores

 

IXFA7N60P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFA7N60P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AA
 

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IXFA7N60P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  ixys
 ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf pdf_icon

IXFA7N60P3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA7N60P3Power MOSFETs ID25 = 7AIXFP7N60P3 RDS(on) 1.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 600 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VTO-220AB

 9.1. Size:180K  ixys
 ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf pdf_icon

IXFA7N60P3

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150VIXFA76N15T2ID25 = 76APower MOSFETIXFP76N15T2 RDS(on) 20m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrnsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 150 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M

Otros transistores... IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , RU6888R , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X , IXFA26N50P3 , IXFA24N60X , IXFA22N65X2 , IXFA22N60P3 .

History: ME9926

 

 
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