IXFA7N60P3 - описание и поиск аналогов

 

IXFA7N60P3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFA7N60P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm

Тип корпуса: TO-263AA

Аналог (замена) для IXFA7N60P3

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFA7N60P3 даташит

 ..1. Size:159K  ixys
 ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf pdf_icon

IXFA7N60P3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA7N60P3 Power MOSFETs ID25 = 7A IXFP7N60P3 RDS(on) 1.15 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 600 V TO-220AB

 9.1. Size:180K  ixys
 ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf pdf_icon

IXFA7N60P3

Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150V IXFA76N15T2 ID25 = 76A Power MOSFET IXFP76N15T2 RDS(on) 20m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrnsic Rectifier G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB) VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M

Другие MOSFET... IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , AO3400A , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X , IXFA26N50P3 , IXFA24N60X , IXFA22N65X2 , IXFA22N60P3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.