IXFA5N50P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFA5N50P3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 114 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V
Tiempo de elevación (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.65 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-263AA
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IXFA5N50P3 Datasheet (PDF)
1.1. ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf 
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Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 1.65Ω ≤ Ω ≤ Ω IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25°C to 150°C, R
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
