IXFA5N50P3 Todos los transistores

 

IXFA5N50P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFA5N50P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AA
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFA5N50P3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFA5N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ixys
 ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf pdf_icon

IXFA5N50P3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFY5N50P3Power MOSFETs ID25 = 5AIXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, R

 9.1. Size:313K  ixys
 ixfa56n30x3 ixfp56n30x3 ixfh56n30x3.pdf pdf_icon

IXFA5N50P3

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA56N30X3Power MOSFET ID25 = 56AIXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXFA)Avalanche RatedGSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WML6N90D1 | IRFB7545

 

 
Back to Top

 


 
.