IXFA5N50P3 Todos los transistores

 

IXFA5N50P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA5N50P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 114 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.65 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFA5N50P3

 

IXFA5N50P3 Datasheet (PDF)

1.1. ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf Size:164K _ixys

IXFA5N50P3
IXFA5N50P3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 1.65Ω ≤ Ω ≤ Ω IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25°C to 150°C, R

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


IXFA5N50P3
  IXFA5N50P3
  IXFA5N50P3
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: GSM4422 | GSM4412W | GSM4412 | GSM4403 | GSM4401S | GSM4248W | GSM4228 | GSM4214W | GSM4214 | GSM4210W | GSM4210 | GSM4172WS | GSM4172S | GSM4134W | GSM4134 |

 

 

 
Back to Top