IXFA5N50P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFA5N50P3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.65 Ohm
Тип корпуса: TO-263AA
Аналог (замена) для IXFA5N50P3
IXFA5N50P3 Datasheet (PDF)
ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFY5N50P3Power MOSFETs ID25 = 5AIXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, R
ixfa56n30x3 ixfp56n30x3 ixfh56n30x3.pdf

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA56N30X3Power MOSFET ID25 = 56AIXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXFA)Avalanche RatedGSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300
Другие MOSFET... IXFD80N10 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IRF730 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X , IXFA26N50P3 , IXFA24N60X , IXFA22N65X2 , IXFA22N60P3 , IXFA20N50P3 .
History: IRF730AL | AOTF22N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet