IXFA22N60P3 Todos los transistores

 

IXFA22N60P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFA22N60P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AA
 

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IXFA22N60P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  ixys
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IXFA22N60P3

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 600VIXFA22N60P3ID25 = 22APower MOSFETsIXFP22N60P3 RDS(on) 360m IXFQ22N60P3N-Channel Enhancement Mode IXFH22N60P3TO-220AB (IXFP)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GD TabSGS TO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR

 6.1. Size:336K  ixys
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IXFA22N60P3

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM T

 6.2. Size:168K  ixys
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IXFA22N60P3

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to

 6.3. Size:205K  inchange semiconductor
 ixfa22n65x2.pdf pdf_icon

IXFA22N60P3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFA22N65X2 IIXFA22N65X2DESCRIPTIONDrain Current : I = 22A@ T =25D CDrain Source Voltage : V = 650V(Min)DSS100% Avalanche RatedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Switch-Mode and Resonant-Mode Power SuppliesDC-DC ConvertersAC and DC Moto

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History: FDD850N10L

 

 
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