IXFA22N60P3 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IXFA22N60P3. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFA22N60P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AA
 

 Аналог (замена) для IXFA22N60P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFA22N60P3 даташит

 ..1. Size:179K  ixys
ixfa22n60p3.pdfpdf_icon

IXFA22N60P3

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 600V IXFA22N60P3 ID25 = 22A Power MOSFETs IXFP22N60P3 RDS(on) 360m IXFQ22N60P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH22N60P3 TO-220AB (IXFP) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G D Tab S G S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V S VDGR

 6.1. Size:336K  ixys
ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdfpdf_icon

IXFA22N60P3

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM T

 6.2. Size:168K  ixys
ixfa22n65x2 ixfh22n65x2 ixfp22n65x2.pdfpdf_icon

IXFA22N60P3

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to

 6.3. Size:205K  inchange semiconductor
ixfa22n65x2.pdfpdf_icon

IXFA22N60P3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IXFA22N65X2 IIXFA22N65X2 DESCRIPTION Drain Current I = 22A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 650V(Min) DSS 100% Avalanche Rated Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies DC-DC Converters AC and DC Moto

Другие MOSFET... IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X , IXFA26N50P3 , IXFA24N60X , IXFA22N65X2 , IRLB3034 , IXFA20N50P3 , IXFA18N60X , IXFA16N60P3 , IXFA16N50P3 , IXFA14N60P3 , IPZ65R095C7 , IPZ65R065C7 , IPZ65R045C7 .

History: IPZA60R037P7

 

 

 


 
↑ Back to Top
.