IXFA18N60X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFA18N60X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFA18N60X

IXFA18N60X Datasheet (PDF)

..1. Size:183K ixys
ixfa18n60x ixfh18n60x ixfp18n60x.pdf

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA18N60XPower MOSFET ID25 = 18AIXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60XTO-263 AA (IXFA)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to

6.1. Size:336K ixys
ixfa18n65x2 ixfp18n65x2 ixfh18n65x2.pdf

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA18N65X2Power MOSFET ID25 = 18AIXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 650 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGS

8.1. Size:208K ixys
ixfa180n10t2 ixfp180n10t2.pdf

Preliminary Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 100VIXFA180N10T2Power MOSFET ID25 = 180AIXFP180N10T2 RDS(on) 6m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RG

8.2. Size:204K inchange semiconductor
ixfa180n10t2.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFA180N10T2FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAX

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Liste

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