IRFP344 Todos los transistores

 

IRFP344 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP344

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 450 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 10 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 9.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 80(max) nC

Tiempo de elevación (tr): 28 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.63 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247AC

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IRFP344 Datasheet (PDF)

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IRFP344
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IRFP344
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IRFP344, SiHFP344Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 450 Repetitive Avalanche RatedRoHSRDS(on) ()VGS = 10 V 0.63COMPLIANT Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 80 Fast SwitchingQgs (nC) 12 Ease of ParallelingQgd (nC) 41 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Lead (Pb)-freeD

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