IRFP350A Todos los transistores

 

IRFP350A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP350A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 202 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 400 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 101 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 305 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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IRFP350A Datasheet (PDF)

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IRFP350A
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IRFP350AFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON): 0.254 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characterist

0.2. irfp350a.pdf Size:985K _samsung

IRFP350A
IRFP350A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) : 0.254 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 0.3. irfp350a.pdf Size:237K _inchange_semiconductor

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IRFP350A

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP350AFEATURESDrain Current I = 17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.3(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies

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