IPW60R280P6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPW60R280P6
Código: 6R280P6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
- Selección de transistores por parámetros
IPW60R280P6 Datasheet (PDF)
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History: RCX080N25 | QS8J12 | SHD225608
History: RCX080N25 | QS8J12 | SHD225608



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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