IPU80R1K4CE MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPU80R1K4CE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPU80R1K4CE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-251

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IPU80R1K4CE datasheet

..1. Size:2292K infineon
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..2. Size:265K inchange semiconductor
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5.1. Size:1228K infineon
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IPU80R1K4P7 MOSFET IPAK 800V CoolMOS P7 Power Transistor The latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C DS(

6.1. Size:2278K infineon
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