IPU13N03LAG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPU13N03LAG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 303 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0128 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de IPU13N03LAG MOSFET
IPU13N03LAG datasheet
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IPD13N03LA G IPF13N03LA G IPS13N03LA G IPU13N03LA G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R 12.8 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applications I 30 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C opera
ipd135n03l ipf135n03l ips135n03l ipu135n03l.pdf
Type IPD135N03L G IPF135N03L G IPS135N03L G IPU135N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 13.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 30 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very
ipd135n03lg ipf135n03lg ips135n03lg ipu135n03lg.pdf
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Otros transistores... IPU60R2K0C6 , IPU60R1K5CE , IPU60R1K4C6 , IPU60R1K0CE , IPU50R950CE , IPU50R3K0CE , IPU50R2K0CE , IPU50R1K4CE , IRF1010E , IPU06N03LAG , IPT059N15N3 , IPT020N10N3 , IPT015N10N5 , IPT012N08N5 , IPT007N06N , IPT004N03L , IPS65R950C6 .
Liste
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