IPS090N03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS090N03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-251

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IPS090N03L datasheet

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IPS090N03L

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

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IPS090N03L

Type IPD090N03L G IPF090N03L G IPS090N03L G IPU090N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

 9.1. Size:413K  infineon
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IPS090N03L

IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C

Otros transistores... IPT015N10N5, IPT012N08N5, IPT007N06N, IPT004N03L, IPS65R950C6, IPS65R1K5CE, IPS65R1K4C6, IPS65R1K0CE, 4N60, IPS075N03L, IPS060N03L, IPS050N03L, IPS040N03L, IPS031N03L, IPP65R660CFDA, IPP65R420CFD, IPP65R310CFDA