IRFP353 Todos los transistores

 

IRFP353 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP353

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 350 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 73 nC

Tiempo de elevación (tr): 65(max) nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 390 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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IRFP353 Datasheet (PDF)

0.1. irfp350 irfp351 irfp352 irfp353.pdf Size:220K _samsung

IRFP353
IRFP353

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0.2. irfp353r.pdf Size:162K _inchange_semiconductor

IRFP353
IRFP353

INCHANGE Semiconductor isc Product Specificationisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP353(R)FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 350V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast SwitchingDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.3. irfp353.pdf Size:236K _inchange_semiconductor

IRFP353
IRFP353

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP353FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 350V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a

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