Справочник MOSFET. IRFP353

 

IRFP353 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP353

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 350 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 73 nC

Время нарастания (tr): 65(max) ns

Выходная емкость (Cd): 390 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFP353

 

 

IRFP353 Datasheet (PDF)

0.1. irfp350 irfp351 irfp352 irfp353.pdf Size:220K _samsung

IRFP353
IRFP353

This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

0.2. irfp353r.pdf Size:162K _inchange_semiconductor

IRFP353
IRFP353

INCHANGE Semiconductor isc Product Specificationisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP353(R)FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 350V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast SwitchingDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.3. irfp353.pdf Size:236K _inchange_semiconductor

IRFP353
IRFP353

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP353FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 350V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a

Другие MOSFET... IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRF4905 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 .

 

 
Back to Top