IPP65R225C7 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPP65R225C7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP65R225C7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm

Encapsulados: TO-220

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IPP65R225C7 datasheet

..1. Size:1646K infineon
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