IRFP360LC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP360LC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 400 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 23 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 110(max) nC

Tiempo de elevación (tr): 75 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 540 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP360LC

IRFP360LC Datasheet (PDF)

0.1. irfp360lc.pdf Size:162K _international_rectifier

PD - 9.1230IRFP360LCHEXFET Power MOSFETUltra Low Gate ChargeReduced Gate Drive RequirementEnhanced 30V Vgs Rating VDSS = 400VReduced Ciss, Coss, CrssIsolated Central Mounting HoleRDS(on) = 0.20Dynamic dv/dt RatedRepetitive Avalanche RatedID = 23ADescriptionThis new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantlylower gate charge over conventional

0.2. irfp360lc sihfp360lc.pdf Size:1031K _vishay

IRFP360LC, SiHFP360LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 110 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 28 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 45 Repetitive A

0.3. irfp360lc.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP360LCFEATURESWith TO-247 packagingUninterruptible power supplyHigh speed switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sour

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: