IPP147N03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP147N03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0147 Ohm

Encapsulados: TO-220

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPP147N03L datasheet

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IPP147N03L

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IPP147N03L

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IPP147N03L

Type IPP147N03L G IPB147N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 14.7 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 20 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(

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 ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf pdf_icon

IPP147N03L

IPB144N12N3 G IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n) I D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R D n) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH

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