IPP147N03L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPP147N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0147 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP147N03L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPP147N03L даташит
ipp147n03l .pdf
pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@ %>E Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- 14 7 m - @? >2H Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= =@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @"- 4@>A= 2?D Q "2=@86? 7B6
ipp147n03l.pdf
pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@ %>E Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- 14 7 m - @? >2H Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= =@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @"- 4@>A= 2?D Q "2=@86? 7B6
ipp147n03l-g ipb147n03l-g.pdf
Type IPP147N03L G IPB147N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 14.7 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 20 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(
ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf
IPB144N12N3 G IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n) I D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R D n) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH
Другие IGBT... IPP60R040C7, IPP50R500CE, IPP50R280CE, IPP50R190CE, IPP410N30N, IPP25N06S3-25, IPP220N25NFD, IPP14N03LA, IRF540, IPP120N20NFD, IPP110N20NA, IPP100N06S3L-04, IPP100N06S3L-03, IPP09N03LA, IPP096N03L, IPP083N10N5, IPP080N03L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet




