IPP052N08N5 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPP052N08N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP052N08N5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de IPP052N08N5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IPP052N08N5 datasheet

..1. Size:1809K infineon
ipp052n08n5.pdf pdf_icon

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPP052N08N5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPP052N08N5 TO-220-3 1 Description tab Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resis

..2. Size:245K inchange semiconductor
ipp052n08n5.pdf pdf_icon

6.1. Size:683K infineon
ipb049n06l3g ipp052n06l3g ipp052n06l3 ipb049n06l3 ipp052n06l3 ipb052n06l3.pdf pdf_icon

pe IPB049N06L3 G IPP052N06L3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?4 C64 R 4 7 m - @? >2I -' R ) AE > K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD I D R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E ) ' D n) R ( 492??6= =@8 4 =6G6= R 2G2=2?496 E6DE65 R *3 7C66 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E

6.2. Size:1847K cn vbsemi
ipp052n06l3.pdf pdf_icon

IPP052N06L3 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0035 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0090 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 210 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002

Otros transistores... IPP100N06S3L-04, IPP100N06S3L-03, IPP09N03LA, IPP096N03L, IPP083N10N5, IPP080N03L, IPP060N06N, IPP055N03L, IRFB4227, IPP04CN10N, IPP042N03L, IPP040N06N, IPP037N08N3GE8181, IPP034N08N5, IPP034N03L, IPP030N10N5, IPP029N06N

IPP052N08N5 Todos los transistores