IRFP431 Todos los transistores

 

IRFP431 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP431
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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IRFP431 datasheet

 0.1. Size:299K  international rectifier
 irfp4310zpbf.pdf pdf_icon

IRFP431

PD - 97123A IRFP4310ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 134A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

 0.2. Size:676K  international rectifier
 auirfp4310z.pdf pdf_icon

IRFP431

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFP4310Z Features VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.8m Ultra Low On-Resistance max. Dynamic dv/dt Rating 6.0m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 128A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D Autom

 0.3. Size:244K  inchange semiconductor
 irfp4310z.pdf pdf_icon

IRFP431

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4310Z IIRFP4310Z FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 6.0m Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=250 A) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Unin

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History: NCE1012E | FQP4N50

 

 
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