IRFP431 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP431

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 450 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 21 nC

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP431

IRFP431 Datasheet (PDF)

0.1. irfp4310zpbf.pdf Size:299K _international_rectifier

PD - 97123AIRFP4310ZPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.4.8m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching max. 6.0m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)134A cID (Package Limited)120A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

0.2. irfp4310zpbf.pdf Size:299K _infineon

0.3. irfp4310z.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4310ZIIRFP4310ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.0mEnhancement mode:Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUnin

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Liste

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