IRFP431 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP431

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 450 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP431

IRFP431 Datasheet (PDF)

1.1. irfp4310zpbf.pdf Size:299K _upd-mosfet

PD - 97123A IRFP4310ZPbF HEXFET® Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m : l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m : l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 134A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

1.2. irfp4310zpbf.pdf Size:299K _international_rectifier

1.3. irfp4310z.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4310Z， IIRFP4310Z ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤6.0mΩ ·Enhancement mode: Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=250μA) ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ·Unin

Otros transistores... IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , 2SK2996 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: