IRFP432 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP432

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 21 nC

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP432

IRFP432 Datasheet (PDF)

0.1. irfp4321pbf.pdf Size:291K _international_rectifier

PD - 97106IRFP4321PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Motion Control Applicationsl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS 150Vl Uninterruptible Power Supplyl Hard Switched and High Frequency Circuits 12m:RDS(on) typ.Benefitsmax. 15.5m:l Low RDSON Reduces LossesID 78Al Low Gate Charge Improves the Switching PerformanceDl Improved Diode Recovery

0.2. irfp4321pbf.pdf Size:291K _infineon

0.3. irfp4321.pdf Size:243K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4321IIRFP4321FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)15.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONMotion Control ApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible

Otros transistores... IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , 5N60 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: